[发明专利]一种多孔结构SiCO基锂电极在审
| 申请号： | 201710887625.8 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107634182A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 廖宁波 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/48;H01M4/1391;H01M4/04 |
| 代理公司： | 杭州新源专利事务所(普通合伙)33234 | 代理人： | 余冬 |
| 地址： | 325036 浙江省温州市瓯海经济*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔结构SiCO基锂电极，包括单晶硅基板，单晶硅基板上自下而上依次设有TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层。本发明通过将TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层形成复合薄膜层置于单晶硅基板形成电极，不仅提高了SiCO的锂容量，还可以大大缓解电极材料在充放电时的产生体积膨胀，并控制容量衰减，从而解决SiCO电极循环稳定性差的不足。此外，薄膜材料作为电极还可以有效的缩短锂离子在嵌入脱出过程中的迀移路径，并提高扩散速率，从而改善材料在高倍率充放电时的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 结构 sico 电极 | ||
【主权项】：
一种多孔结构SiCO基锂电极，其特征在于：包括单晶硅基板，单晶硅基板上自下而上依次设有TiN阻挡层、Al薄膜层、SiAlCO薄膜层、SiBCO薄膜层和SiCO薄膜层。
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