[发明专利]多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法

摘要

本发明公开了一种多晶片半导体封装体及垂直堆叠的半导体晶片和封装方法，半导体晶片包含半导体元件。半导体元件具有上表面以及对应至上表面的下表面。半导体元件包含输入端子、多个硅晶穿孔连接块、多个选择焊垫、多个倾斜焊垫以及多个倾斜导电结构。硅晶穿孔连接块延伸穿越半导体元件。选择焊垫位于下表面。倾斜焊垫位于上表面且通过硅晶穿孔连接块分别连接至选择焊垫。每个倾斜焊垫具有焊垫表面，其不平行于上表面。每个倾斜导电结构的底端接触对应的倾斜焊垫的焊垫表面，且每个倾斜导电结构的顶端垂直的对齐紧邻的倾斜焊垫。本发明具有以节省成本和生产效率的结构设计与生产方法达到晶片选择的功能。

主权项

1.一种半导体晶片，其特征在于，包含：半导体元件，具有上表面以及对应至所述上表面的下表面，其中所述半导体元件包含：输入端子；多个硅晶穿孔连接块，延伸穿越所述半导体元件，其中所述多个硅晶穿孔连接块的其中之一连接至所述输入端子；以及多个选择焊垫，位于所述下表面，其中所述多个选择焊垫的其中之一连接至所述输入端子，而所述多个选择焊垫的其余者分别连接至所述多个硅晶穿孔连接块的其余者；多个倾斜焊垫，位于所述上表面且通过所述多个硅晶穿孔连接块分别连接至所述多个选择焊垫，其中每个所述倾斜焊垫具有焊垫表面，其不平行于所述上表面；以及多个倾斜导电结构，分别位于对应的所述多个倾斜焊垫上，每个所述倾斜导电结构的底端接触对应的所述倾斜焊垫的所述焊垫表面，且每个所述倾斜导电结构的顶端垂直的对齐紧邻的所述倾斜焊垫。