[发明专利]硅基混合集成激光器阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 201710888586.3 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560462B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 郑婉华;王海玲;王明金;石涛;孟然哲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基混合集成激光器阵列及其制备方法。硅基混合集成激光器阵列包括：制作在SOI基底和III‑V半导体外延层上的多个平行排布的硅基混合集成激光器；其中，每个硅基混合集成激光器包括：硅脊波导；导热层，位于硅脊波导两侧的特定区域内，该特定区域为SOI基底去除顶层硅和埋氧层之后获得的区域；本征层，形状为马鞍形，包括两端的突出部和连接部，其中一两端的突出部覆盖于导热层上方；本征层连接部上依次有N型波导层、有源区、P型盖层；III‑V波导，由III‑V半导体外延层图案化形成，与硅脊波导相连接；P型欧姆接触层，P电极以及N电极。散热性好，制备工艺简单稳定、重复性好、制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 集成 激光器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅基混合集成激光器阵列，包括：制作在SOI基底和III‑V半导体外延层上的多个平行排布的硅基混合集成激光器；其中，每个硅基混合集成激光器包括：硅脊波导；导热层，位于硅脊波导两侧的特定区域内，该特定区域为SOI基底去除顶层硅和埋氧层之后获得的区域；本征层，形状为马鞍形，包括两端的突出部和连接部，其中一两端的突出部覆盖于导热层上方；N型波导层，形成于本征层的连接部之上；有源区，形成于N型波导层之上；P型盖层，形成于有源区之上；III‑V波导，由III‑V半导体外延层图案化形成，两端与硅脊波导的前、后端相连接，两侧的结构为图案化后未被刻蚀的P型盖层以及下方的有源区；P型欧姆接触层，位于III‑V波导之上；P电极，位于P型欧姆接触层之上；以及N电极，位于N型波导层之上。
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