[发明专利]半导体元件的制造方法在审
| 申请号： | 201710889749.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108231554A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 林云跃;陈炫辰;林志诚;李信昌;辜耀进;罗唯仁;严涛南;林进祥;钱志道 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供半导体元件的制造方法，包括形成第一介电层于基板的背表面之上；在形成第一介电层之后，形成石墨烯层于基板的前表面之上；在形成石墨烯层之后，图案化第一介电层以于第一介电层中形成开口，其露出基板的背表面的一部分；当使用图案化的第一介电层为罩幕时，对基板的背表面进行蚀刻工艺以形成护膜，其具有包括石墨烯层的护膜膜片。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 石墨烯层 背表面 基板 半导体元件 图案化 护膜 蚀刻工艺 对基板 前表面 膜片 制造 开口 申请 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制造方法，包括：形成一第一介电层于一基板的一背表面之上；在形成该第一介电层之后，形成一石墨烯层于该基板的一前表面之上；在形成该石墨烯层之后，图案化该第一介电层以于该第一介电层中形成一开口，其露出该基板的该背表面的一部分；使用图案化的该第一介电层作为一罩幕，对该基板的该背表面进行一蚀刻工艺以形成一护膜，其具有包括该石墨烯层的一护膜膜片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
