[发明专利]使用遂穿场效应晶体管和碰撞电离MOSFET器件的静电放电保护电路有效
| 申请号： | 201710889880.6 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108695313B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | R·斯坦安达姆 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;马明月 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在使用遂穿场效应晶体管(TFET)或碰撞电离MOSFET(IMOS)的电路中提供静电放电(ESD)保护。这些电路被支持在绝缘体上硅(SOI)和体基底配置中，以用作保护二极管、电源钳位、故障保护电路和切分单元。具有寄生双极型器件的实现方式提供了附加的并行放电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 场效应 晶体管 碰撞 电离 mosfet 器件 静电 放电 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种电路，包括：第一电源线；第二电源线；输入/输出节点；第一遂穿场效应晶体管(TFET)器件，所述第一TFET器件具有电耦合到所述第一电源线的第一导电端子和电耦合到所述输入/输出节点的第二导电端子；第二TFET器件，所述第二TFET器件具有电耦合到所述输入/输出节点的第一导电端子和电耦合到所述第二电源线的第二导电端子；以及触发电路，所述触发电路被配置为生成用于应用于所述第一TFET器件的控制端子和所述第二TFET器件的控制端子的一个或多个触发信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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