[发明专利]非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法有效
申请号: | 201710890013.4 | 申请日: | 2017-09-27 |
公开(公告)号: | CN107748813B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 许洪光;路小菲;胡琴芳 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
主分类号: | G06F30/20 | 分类号: | G06F30/20;G01R33/12 |
代理公司: | 深圳市添源知识产权代理事务所(普通合伙) 44451 | 代理人: | 罗志伟 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提出了一种非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法,首先利用LLG方程,对磁化矢量旋转方程进行约束,建立非晶丝内部总能量的表达式;然后,根据体系自由能最小原理,建立磁化矢量运动方程,通过对运动方程求解得到非轴向磁场作用下非晶丝磁导率张量,利用磁场强度和磁感应强度的本征关系以及麦克斯韦方程,建立关于非晶丝环向和轴向磁场参量的电磁场方程;最后针对高频和低频的应用条件,对非晶丝电磁场方程的解进行简化,使用高频近似法和低频近似法得到了非晶丝巨磁阻抗的一般表达式。本发明能精确建立非晶丝在非轴向磁场下的巨磁阻抗传感模型,给出巨磁阻抗的计算方法。 | ||
搜索关键词: | 非晶丝 轴向 磁场 作用 磁阻 建模 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶丝在非轴向磁场作用下的巨磁阻抗建模方法,所述方法用于非轴向磁场作用下非晶丝巨磁阻抗的计算,所述非晶丝的巨磁阻抗是指使用高频交流电流源驱动非晶丝时,非晶丝两端的交流阻抗;其特征在于:所述方法包括:S1、利用LLG方程,对磁化矢量旋转方程进行约束,建立非晶丝内部总能量的表达式;S2、根据体系自由能最小原理,建立磁化矢量运动方程,通过对运动方程求解得到非轴向磁场作用下非晶丝磁导率张量;S3、利用磁场强度和磁感应强度的本征关系以及麦克斯韦方程,建立关于非晶丝环向和轴向磁场参量的电磁场方程;S4、使用高频近似法和低频近似法得到非晶丝巨磁阻抗表达式。
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