[发明专利]一种半导体图形衬底的制造及外延的方法在审
| 申请号： | 201710890136.8 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107731660A | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 汤英文 | 申请（专利权）人： | 闽南师范大学;江苏达安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 363000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体领域，公开了一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，通过将蓝宝石等衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成蒙古包一样的ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD等物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下来的AlN为中空的蒙古包。本发明大大缓冲了AlGaInN与蓝宝石之间的热应力，这样就减少了蓝宝石与AlGaInN之间的膨胀系数差异引起的应力，可以大大减少AlGaInN的位错从而提高晶体质量，可以代替GaN单晶衬底，达到降低芯片制造成本,有利于AlGaInN基LED、电子及微波器件的民用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 图形 衬底 制造 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体图形衬底的制造及外延的方法，其特征在于，通过将蓝宝石衬底生长一层氧化锌ZnO；然后制作成ZnO图形，露出蓝宝石；然后用物理气相沉积PVD物理方法生长AlN保护层；通过高温氢气或氨气把保护层下的ZnO反应掉或部分反应掉，留下中空或部分中空的AlN。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于闽南师范大学;江苏达安光电有限公司，未经闽南师范大学;江苏达安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710890136.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种军工设备大流量供电电源
- 下一篇：一种带绝缘导热薄膜的锂离子电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
