[发明专利]一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法有效
| 申请号： | 201710890566.X | 申请日： | 2017-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946352B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 陈文锁;黄彬;张培健;刘建;王飞;欧宏旗;钟怡 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 重庆大学专利中心 50201 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器及其制作方法，其特征在于：包括下电极层、重掺杂第一导电类型衬底层、轻掺杂第一导电类型外延层、第二导电类型体区、肖特基接触区、栅介质层、栅电极层、掩蔽介质层、欧姆接触区和上电极层。该欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器具有制造工艺简单、优化电性特征和耐受过流能力的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 肖特基 超级 整流器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种欧姆接触和肖特基接触超级势垒整流器，其特征在于，包括下电极层(10)、重掺杂第一导电类型衬底层(20)、轻掺杂第一导电类型外延层(30)、第二导电类型体区(31)、肖特基接触区(40)、栅介质层(41)、栅电极层(42)、掩蔽介质层(43)、欧姆接触区(44)和上电极层(50)；所述重掺杂第一导电类型衬底层(20)覆盖于下电极层(10)之上；所述轻掺杂第一导电类型外延层(30)覆盖于重掺杂第一导电类型衬底层(20)之上；所述第二导电类型体区(31)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面；所述欧姆接触区(44)覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述肖特基接触区(40)覆盖于第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)覆盖于轻掺杂第一导电类型外延层(30)之上的部分表面和第二导电类型体区(31)之上的部分表面；所述栅介质层(41)还覆盖于肖特基接触区(40)之上；所述栅电极层(42)覆盖于栅介质层(41)之上；所述掩蔽介质层(43)覆盖于栅电极层(42)之上；所述上电极层(50)覆盖于掩蔽介质层(43)和欧姆接触区(44)之上，所述上电极层(50)与肖特基接触区(40)相连接。
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