[发明专利]石墨烯边界调控方法有效
| 申请号： | 201710890641.2 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107500277B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;陈令修;贺立;王慧山;谢红;王秀君;谢晓明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 边界 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯边界调控方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1)提供一绝缘衬底，并将所述绝缘衬底置于生长腔室中；/n2)向所述生长腔室中通入第一反应气体，且所述第一反应气体至少包括碳源气体，并通过控制所述第一反应气体的流量，以于所述绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构；/n步骤3)，向所述生长腔室中继续通入第二反应气体，以得到具有第二边界形状的所述石墨烯结构。/n
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