[发明专利]一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201710890817.4 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN107779956B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 刘毅;刘畅;侯佩佩;郑雪绒;沈亚英 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B7/14 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 傅朝栋;张法高 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应4‑7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为SrAg4As2S6·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，产率可达到～50％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四元硫代 砷酸盐 化合物 半导体材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1. 一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料的制备方法，其特征在于：称取初始原料Sr(OH)2·8H2O 1.50 mmol、Ag 0.3 mmol、As2S3 0.25 mmol和 S 2.00 mmol放入水热釜中，再加入85wt%水合肼4mL，将水热釜置于160℃下反应7天；产物分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到产率为60 %的黄色块状晶体；晶体材料属于单斜晶系，P 21/m空间群，晶胞参数a=6.1314(6) Å，b=18.2903(11) Å，c=6.8051(6) Å，α=90°，β=115.895(11)°，γ=90°，V= 686.53(10) Å3 ，Z=2，Dc=4.321 g/cm3，能隙为 2.3 eV。
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