[发明专利]基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法在审
| 申请号： | 201710891111.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107749436A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李国强;李洁 | 申请（专利权）人： | 佛山市艾佛光通科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 陈均钦 |
| 地址： | 528000 广东省佛山市南海区狮山镇*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法。该方法包括以下步骤1清洗处理外延层，制备第一粘附层、键合层；步骤2在转移硅衬底上制备粘附层、阻挡层、键合层；步骤3金锡双面共晶键合；步骤4剥离生长衬底，得到转移后的外延层硅衬底材料。本发明提出了金锡双面共晶键合的结构，改善了键合效果；同时，表面Au层保护Sn不被氧化；Ti做阻挡层很好地阻止Sn的扩散，穿过阻挡层破坏键合结构。本发明中所述制备方法通过形成可靠的金锡合金，减小键合层空洞，提升了键合质量，避免了键合失效，实现了外延层到硅衬底的无损转移。有利于发挥理想的半导体特性，制备成大规模、功能齐全的微电子和光电子集成器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 双面 共晶键合 外延 转移 方法 | ||
【主权项】：
基于金锡双面共晶键合的外延层转移方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：清洗处理外延层，制备第一粘附层、键合层；外延层设置在生长衬底上，在所述外延层上依次蒸发Ti、Au、Sn、Au，其中Ti层为粘附层，Au/Sn/Au层的金属叠层为键合层；步骤2：在转移硅衬底上依次蒸发Cr、Pt、Ti、Au、Sn、Au，其中Cr层为第二粘附层，Pt/Ti层为阻挡层，Au/Sn/Au层为键合层；步骤3：利用等离子体清洁和氮气枪吹扫过的生长衬底表面的键合层和转移硅衬底表面的键合层，并且使生长衬底表面的键合层和转移硅衬底表面的键合层贴紧，送入键合机夹具，使生产衬底上的键合层与转移硅衬底上的键合层完成键合；步骤4：剥离生长衬底，得到转移后的外延层硅衬底材料。
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