[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201710891160.3 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108735658A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 林志男;李宗达;陈莉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 根据一些实施例，提供半导体装置结构及其形成方法。上述方法包含沉积含有Al原子的第一层，以覆盖第一介电层及第一导电部件。此外，上述方法包含沉积含有N原子的第二层于第一层上，使得第一层和第二层形成了包含氮化铝的蚀刻停止层。蚀刻停止层包含空位，且具有铝相对于铝及氮(Al/Al+N)的原子百分比。上述方法也包含用额外的N原子填入蚀刻停止层内的空位，以减少铝相对于铝及氮的原子百分比。此外，上述方法包含形成第二介电层于蚀刻停止层上。上述方法也包含形成第二导电部件于第二介电层和蚀刻停止层内，使第二导电部件连接至第一导电部件。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 导电部件 第一层 介电层 半导体装置结构 原子百分比 空位 沉积 氮化铝 填入 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：形成一第一介电层于一半导体基底上；形成一第一导电部件于所述第一介电层内；沉积一第一层，其包括铝原子，以覆盖所述第一介电层及所述第一导电部件；沉积一第二层于所述第一层上，所述第二层包括氮原子，使得所述第一层及所述第二层形成一蚀刻停止层，所述蚀刻停止层包括氮化铝，其中所述蚀刻停止层包括一空位，并且具有铝相对于铝及氮的一原子百分比；用额外的氮原子填入所述蚀刻停止层的所述空位，以减少铝相对于铝及氮的所述原子百分比；形成一第二介电层于所述蚀刻停止层上；以及形成一第二导电部件于所述第二介电层及所述蚀刻停止层内，使所述第二导电部件连接至所述第一导电部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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