[发明专利]区分半导体光致逆自旋霍尔效应本征与非本征机制的方法有效
| 申请号： | 201710891337.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107807320B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵宜升;曾晓琳;俞金玲;程树英 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡学俊;薛金才 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供区分半导体光致逆自旋霍尔效应本征与非本征机制的方法。该方法通过测量半导体二维电子气在不同温度下的光致逆自旋霍尔效应电流，并通过模型拟合得到半导体二维电子气中电子受到的自旋横向力随温度的变化趋势，若其随温度的增加而增加，则属于非本征机制，若其随温度的增加而减小，则属于本征机制。与现有技术相比，本发明较为简单易行，成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 区分 半导体 光致逆 自旋 霍尔 效应 机制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种区分半导体光致逆自旋霍尔效应本征与非本征机制的方法，其特征在于：包括以下步骤：/n步骤S1：在半导体二维电子气样品上沉积两个圆形铟电极，将样品用低温胶粘在低温杜瓦上，并对低温杜瓦抽真空，往低温杜瓦里面灌入液氮，并调节温度；/n步骤S2：将具有高斯分布的激光依次通过斩波器、起偏器、四分之一波片，然后垂直入射在样品两电极a、b连线的中点；调节四分之一波片，使其主轴方向与起偏器的偏振方向平行；/n步骤S3：当光斑照在两电极a、b连线的中点时，记录下此时两电极a、b之间的电阻R
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