[发明专利]含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法有效
| 申请号： | 201710892548.5 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107868098B | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 矶野芳美;近藤良介;三浦雅大;森高;高桥干弘 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | C07F7/08 | 分类号： | C07F7/08;C07F7/18;C07F7/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明为含不饱和键的硅烷化合物的精制方法和制造方法及其组合物。目的在于提供能够由包含四氢呋喃和含不饱和键的硅烷化合物的混合物获得高纯度的含不饱和键的硅烷化合物的精制方法。使用含不饱和键的硅烷化合物的精制方法，其特征在于，对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于前述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏。Si(R |
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| 搜索关键词： | 不饱和 硅烷 化合物 精制 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种含不饱和键的硅烷化合物的精制方法，其特征在于，对下述通式(1)所示的至少1种含不饱和键的硅烷化合物与四氢呋喃与沸点高于所述含不饱和键的硅烷化合物和四氢呋喃的高沸点溶剂的混合物进行蒸馏，Si(R1)x(R2)4‑x (1)通式(1)中，R1分别相互独立地表示具有碳‑碳不饱和键的基团；R2分别相互独立地选自氟基、碳数为1以上且10以下的直链或支链状的烷基，所述烷基任选具有氟原子和/或氧原子；x为2以上且4以下的整数。
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