[发明专利]磁传感器有效
| 申请号： | 201710892742.3 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107871814B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 石田拓也 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制霍尔元件的偏置电压变动的磁传感器。本发明的磁传感器(100)具有霍尔元件(10)、第一面(51)和第二面(52)。霍尔元件(10)具有基板(10)和形成在基板(10)上的活性层(12)。第一面(51)为使基板(11)侧为下侧时成为最上侧的面。第二面(52)为使基板(11)侧为下侧时成为最下侧的面。第一面(51)与活性层(12)的靠第一面(51)侧的面之间的距离(D)为100μm以下。第一面(51)的算术平均粗糙度(Ra)为1μm以上且为20μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
一种磁传感器，其特征在于，该磁传感器具有：霍尔元件，其具有基板和形成在所述基板上的活性层；第一面，其为使所述基板侧为下侧时成为最上侧的面；及第二面，其为使所述基板侧为下侧时成为最下侧的面，所述第一面与所述活性层的靠所述第一面侧的面之间的距离为100μm以下，所述第一面的算术平均粗糙度Ra为1μm以上且为20μm以下。
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