[发明专利]兰姆波谐振器及其制备方法有效
| 申请号： | 201710893348.1 | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109560785B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 艾玉杰;张韵;杨帅;孙莉莉;程哲;张连;贾丽芳;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种兰姆波谐振器及其制备方法，其中兰姆波谐振器包括衬底层和谐振器结构，谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：叉指电极位于单晶氮化物薄膜层的中心区域；谐振器结构倒置于衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使叉指电极与衬底层之间具有空隙。本发明结合焊接和腐蚀工艺，通过先在一基底材料上高温生长单晶氮化物薄膜层，再在单晶氮化物薄膜层上形成底电极层，避免了现有技术中，在底电极层上高温形成薄膜层带来的底电极层表面变粗糙和极易与氨气发生反应的问题，从而为研制单晶氮化物兰姆波谐振器奠定了基础。 | ||
| 搜索关键词： | 兰姆波 谐振器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种兰姆波谐振器，包括衬底层和谐振器结构，所述谐振器结构自下而上包括底电极层、单晶氮化物薄膜层及叉指电极，其中：所述叉指电极位于所述单晶氮化物薄膜层表面的中心区域；所述谐振器结构倒置于所述衬底层上表面，且谐振器结构与衬底层之间设置有金属层，以使所述叉指电极与所述衬底层之间具有空隙。
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