[发明专利]一种疏水沉淀法二氧化硅及其制备方法在审
| 申请号： | 201710893609.X | 申请日： | 2017-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN107500302A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 董飞;刘飞;曹添 | 申请（专利权）人： | 滁州四新科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 239236 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种将亲水沉淀二氧化硅进行疏水处理，最终制得疏水沉淀法二氧化硅的方法。首先利用脂肪族化合物和季铵盐加热搅拌制得表面改性剂，然后将亲水沉淀二氧化硅升温搅拌后保温一定时间，最后在150‑230℃条件下将表面改性剂雾化后均匀喷淋在亲水沉淀二氧化硅上保温一定时间制得疏水沉淀二氧化硅。得到的疏水沉淀二氧化硅，具有粒径小、表面面积大，分散性好的优点，可以广泛的应用在工程塑料、硅橡胶、粘合剂、染料、消泡剂等领域，该改性剂不含溶剂，安全环保，同时工艺较简单，对设备要求不高，没有使用酸碱催化剂，对后期使用不会产生不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 沉淀 二氧化硅 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种疏水沉淀法二氧化硅的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：(1)将脂肪族化合物A1和季铵盐A2按比例投入反应容器内，密封，搅拌加热，于40～90℃保温0.5～2h，得到表面改性剂A；(2)将亲水沉淀二氧化硅B投入反应器中搅拌并升温至100‑140℃保温0.5‑2h；(3)继续升温至150‑230℃，将表面改性剂A雾化后均匀喷淋在二氧化硅B表面上，保温4～6h处理得到所述疏水沉淀二氧化硅N。
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