[发明专利]过孔和跳孔结构有效
| 申请号： | 201710895576.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN108933081B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;裴东斐;F·W·蒙特 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/60;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及过孔和跳孔结构。本发明一般地涉及半导体结构，更特别地，涉及过孔和跳孔结构以及制造的方法。所述方法包括：在硬掩模材料中形成多个开口；使用阻挡材料阻挡所述硬掩模材料中的多个开口中的至少一者；穿过未被所述阻挡材料阻挡的所述多个开口中的另一者，蚀刻到金属化特征叠层中的金属化特征的跳孔；以及通过自底向上填充方法至少部分地填充跳孔。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在硬掩模材料中形成多个开口；使用阻挡材料阻挡所述硬掩模材料中的所述多个开口中的至少一者；以及穿过未被所述阻挡材料阻挡的所述多个开口中的另一者，蚀刻到金属化特征叠层中的金属化特征的跳孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯美国公司，未经格芯美国公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710895576.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种多晶硅薄膜和薄膜晶体管的制备方法
- 下一篇：晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
