[发明专利]一种产生可控涡旋电子束的装置、方法有效
| 申请号： | 201710896081.1 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107910239B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田鹤;任天星;孙土来;杜凯;陈星;陈琼阳 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01J37/141 | 分类号： | H01J37/141;H01J37/26 |
| 代理公司： | 33224 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 310013 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于透射电子显微镜产生涡旋电子束的装置，电子枪，产生平面电子束；电场控制器；导电线圈，通过电学设备中的芯片设置于平面电子束通道上，受所述电场控制器作用产生强度可控的涡旋电场，所述涡旋电场用于调制所述平面电子束的相位，形成涡旋电子束。涡旋电子束可广泛应用于材料的表征、微纳尺度粒子操控等领域。本发明还提供了一种利用上述装置产生涡旋电子束的方法。该方法操作方便、经济成本低，可以获得轨道角动量可控的涡旋电子束，并且通过结合电子能量损失谱的分析，还有望实现对材料的原子级分辨磁性表征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产生 可控 涡旋 电子束 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于透射电子显微镜产生涡旋电子束的装置，其特征在于，包括：/n电子枪，产生平面电子束；/n电场控制器；/n导电线圈，通过透射电子显微镜的电学样品杆或光阑杆中的芯片设置于平面电子束通道上，且导电线圈的轴向与电子束入射方向完全平行；/n通以导电线圈和电学样品杆或光阑杆能够承受的电流，导电线圈受所述电场控制器作用产生强度可控的涡旋电场，所述涡旋电场用于调制所述平面电子束的相位，形成涡旋电子束。/n
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