[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710896967.6 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109585310B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 付俊;陈福成;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L21/683;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供器件晶圆和承载衬底；在所述边缘区器件晶圆表面形成防粘层；在所述中心区和所述防粘层上形成粘合胶，所述粘合胶与所述防粘层之间的粘附力小于所述粘合胶与器件晶圆之间的粘附力；对所述器件晶圆和承载衬底进行贴合处理，使所述粘合胶与所述承载衬底的承载面贴合；去除所述粘合胶。所述粘合胶与所述防粘层之间的粘附力小于所述粘合胶与器件晶圆之间的粘附力。在去除所述粘合胶的过程中，所述边缘区粘合胶比较容易去除，对所述器件晶圆边缘区产生的应力较小，从而不容易损坏所述器件晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆和承载衬底，所述器件晶圆包括相对的减薄面和背面，所述背面包括中心区和包围所述中心区的边缘区，所述承载衬底包括承载面；在所述边缘区表面形成防粘层；在所述中心区和所述防粘层表面形成粘合胶，所述粘合胶与所述防粘层的之间粘附力小于所述粘合胶与器件晶圆之间的粘附力；对所述器件晶圆和承载衬底进行贴合处理，使所述粘合胶与所述承载衬底的承载面贴合；所述贴合处理之后，对所述器件晶圆减薄面进行减薄处理；所述减薄处理之后，去除所述承载衬底；去除所述承载衬底之后，去除所述粘合胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
