[发明专利]一种波导移相器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710898323.0 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN109581696A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郑军;徐洋;李传波;王庆飞;田林岩 | 申请（专利权）人： | 北京万集科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/015 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;李相雨 |
| 地址： | 100085 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种波导移相器及其制备方法。所述波导移相器包括半导体衬底，所述半导体衬底至少包括衬底层、氧化层和顶层硅层，其中所述氧化层位于所述衬底层和所述顶层硅层的中间，在所述顶层硅层刻蚀出波导阵列，所述波导阵列为至少一条水平排列的脊型波导，并在所述顶层硅层靠近所述脊型波导的水平位置通过离子注入形成与所述脊型波导相对应的至少一条高掺杂区域，在每条高掺杂区域两端上表面分别形成用以连接电源阳极的第一金属电极和用以连接电源阴极的第二金属电极。本发明实施例提供的波导移相器通过在所述脊型波导边上设置加热的高掺杂区域，从而实现对通过所述脊型波导的光波的相位调制，提高了对脊型波导的加热效率，并提高了相位的调节范围。 | ||
| 搜索关键词： | 脊型波导 波导移相器 顶层硅层 高掺杂 金属电极 连接电源 衬底层 氧化层 衬底 制备 半导体 阴极 波导阵列 加热效率 水平排列 相位调制 阳极 光波 波导阵 上表面 刻蚀 加热 离子 | ||
【主权项】：
1.一种波导移相器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底至少包括衬底层、氧化层和顶层硅层，其中所述氧化层位于所述衬底层和所述顶层硅层的中间，在所述顶层硅层刻蚀出波导阵列，所述波导阵列为至少一条水平排列的脊型波导，并在所述顶层硅层靠近所述脊型波导的水平位置通过离子注入形成与所述脊型波导相对应的至少一条高掺杂区域，在每条高掺杂区域两端上表面分别形成用以连接电源阳极的第一金属电极和用以连接电源阴极的第二金属电极。
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