[发明专利]半色调相移光掩模坯、制造方法和半色调相移光掩模

摘要

在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。

主权项

制备在透明基板上具有半色调相移膜的半色调相移光掩模坯的方法，该方法包括通过使用一种或多种含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射，将含过渡金属、硅和氮的层沉积在透明基板上作为半色调相移膜的部分或整体的步骤，其中设定迟滞曲线是通过以下方式绘制的：将功率施加在该一种或多种含硅靶上，将反应性气体供入腔室中，增加然后降低反应性气体的流量由此扫描反应性气体的流量，在扫描反应性气体的流量时测量任意一个靶上的溅射电压或电流值，以及将溅射电压或电流值相对反应性气体的流量作图，沉积含过渡金属、硅和氮的层的步骤包括在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的过渡模式溅射步骤，并且，在过渡模式溅射步骤的部分或整体中，选自靶上施加的功率、惰性气体的流量和反应性气体的流量中的至少一个参数连续地或逐步地增加或降低。