[发明专利]一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法有效
| 申请号： | 201710899647.6 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107658262B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陆向宁;刘凡;何贞志;宿磊;樊梦莹 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；在催化金属层表面生长石墨烯复合结构层；在硅基片上的石墨烯复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明在硅基片上开孔然后先后沉积绝缘层、阻挡层、催化金属层，再生长石墨烯复合结构层，贴干膜，沉积种子层后填充导电材料，利用石墨烯材料良好的热力学、机械和材料特性，以解决3D TSV结构的高频信号电磁耦合串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 复合 结构 三维 硅通孔 垂直 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在硅基片(1)上制作硅孔(9)；b.在硅基片(1)表面及硅孔(9)内壁沉积绝缘层(2)；c.在绝缘层(2)上沉积阻挡层(3)，在阻挡层(3)上沉积催化金属层(4)；d.利用催化金属层(4)生长石墨烯复合结构层(5)；e.在硅基片(1)上的石墨烯复合结构层(5)表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层(6)；f.在硅孔(9)底面和干膜层(6)表面上沉积种子层(7)；g.在硅孔(9)内填充导电材料(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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