[发明专利]一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法有效
| 申请号： | 201710900247.2 | 申请日： | 2017-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107658263B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陆向宁;何贞志;宿磊;樊梦莹;刘凡 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，在硅基片上制作硅孔；在硅基片表面及硅孔内壁沉积绝缘层；在绝缘层上沉积阻挡层，在阻挡层上沉积催化金属层；刻蚀催化金属层，形成纳米催化颗粒；利用纳米催化颗粒生长碳纳米材料复合层；在硅基片上的碳纳米材料复合结构层表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层；在硅孔底面和干膜层表面上沉积种子层；在硅孔内填充导电材料。本发明利用碳纳米材料良好的热学和机械性能，解决由功率密度增加导致的TSV封装结构的散热问题和封装材料间的热应力失配问题，提高3D‑TSV结构的导热性及封装可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 材料 复合 结构 三维 硅通孔 垂直 方法 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米材料复合结构的三维硅通孔垂直互联方法，其特征在于，包括以下步骤：a.在硅基片(1)上制作硅孔(9)；b.在硅基片(1)表面及硅孔(9)内壁沉积绝缘层(2)；c.在绝缘层(2)上沉积阻挡层(3)，在阻挡层(3)上沉积催化金属层(4)；d.刻蚀催化金属层(4)，形成纳米催化金属颗粒；e.利用纳米催化金属颗粒生长碳纳米材料复合结构层(5)；f.在硅基片(1)上的碳纳米材料复合结构层(5)表面贴干膜，曝光、显影形成干膜层(6)；g.在硅孔(9)底面和干膜层(6)表面上沉积种子层(7)；h.在硅孔(9)内填充导电材料(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏师范大学，未经江苏师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710900247.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
