[发明专利]ESL型TFT基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种ESL型TFT基板及其制作方法。本发明的ESL型TFT基板，有缘层的两侧区域为经等离子掺杂处理而导体化的区域，且该两侧区域之间的距离即沟道区的宽度小于源漏极之间的距离，从而具有较小的实际沟道长度，利于源漏极电流的提高，解决了现有ESL型TFT基板源漏极电流小的问题。本发明的ESL型TFT基板的制作方法通过对有缘层的两侧区域进行等离子掺杂处理而使其成为导体化的区域，并且设置该两侧区域之间的距离即沟道区的宽度小于源漏极之间的距离，从而能够减小TFT的实际沟道长度，利于源漏极电流的提高，解决了现有ESL型TFT基板源漏极电流小的问题。

主权项

一种ESL型TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(11)、设于所述栅极(11)及衬底基板(10)上的栅极绝缘层(12)、设于所述栅极绝缘层(12)上且对应于所述栅极(11)上方的有源层(20)、设于所述有源层(20)上的蚀刻阻挡层(30)、以及设于所述蚀刻阻挡层(30)上的源极(41)和漏极(42)；其中，所述有源层(20)的材料为金属氧化物半导体；所述有源层(20)的两侧区域分别为经由等离子掺杂处理而导电性增强的源极接触区(201)和漏极接触区(202)，所述有源层(20)上源极接触区(201)和漏极接触区(202)之间的区域为沟道区(203)；所述蚀刻阻挡层(30)对应所述有源层(20)的源极接触区(201)和漏极接触区(202)分别设有第一过孔(301)、第二过孔(302)，所述的源极(41)和漏极(42)分别通过第一过孔(301)和第二过孔(302)与源极接触区(201)和漏极接触区(202)相接触；所述沟道区(203)的宽度(L0)小于所述源极(41)和漏极(42)之间的距离(L1)。