[发明专利]一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201710903676.5 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107749441B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;陈达 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料及制备方法，具有多层堆叠的三维结构，自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅层、金属上电极层。本发明采用硅基材料，与传统CMOS集成电路工艺相兼容；将SiN材料组装成器件Ag/SiN/p‑Si/Al，器件Ag/SiN/p‑Si/Al在210K的温度下，具有典型的阈值电阻转变特征。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 具有 阈值 电阻 转变 功能 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温下具有阈值电阻转变功能的材料，具有多层堆叠的三维结构，其特征在于：自下而上分别为铝质背电极层、p型重掺杂硅片层、氮化硅层、金属上电极层。
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