[发明专利]屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件，单元区的栅极结构包括：多个第一深沟槽，在第一深沟槽中形成有底部介质层、源极多晶硅栅、栅介质层、多晶硅栅和多晶硅间介质层；和所有第一深沟槽相连通的第二深沟槽，两深沟槽的工艺条件相同，在第二深沟槽中形成有底部介质层和源极多晶硅，第二深沟槽中的源极多晶硅的两侧被底部介质层保护，在第二深沟槽的顶部形成有第一接触孔，第一接触孔的宽度大于等于第二深沟槽的宽度且第一接触孔的底部和第二深沟槽的源极多晶硅接触并实现将各第一深沟槽的所述源极多晶硅引出。本发明还公开了一种屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件的制造方法。本发明能不增加额外的光刻工艺引出较细的源极多晶硅。

主权项

一种屏蔽栅沟槽功率MOSTET器件，其特征在于，器件单元区的栅极结构包括：形成于半导体衬底中的多个第一深沟槽，在所述第一深沟槽的底部表面和侧面形成有底部介质层；所述底部介质层未将所述第一深沟槽完全填充而在所述第一深沟槽的中央区域形成有间隙区；在所述间隙区中填充源极多晶硅；位于所述第一深沟槽顶部区域的侧面的所述底部介质层被去除并在所述第一深沟槽的顶部区域的所述源极多晶硅的两侧形成有顶部沟槽；栅介质层形成于所述顶部沟槽的位于所述半导体衬底一侧的侧面上，所述顶部沟槽的位于所述源极多晶硅一侧的侧面上形成有多晶硅间介质层；在侧面形成有所述栅介质层和所述多晶硅间介质层的所述顶部沟槽中填充有多晶硅栅；至少一个和所有所述第一深沟槽相连通的第二深沟槽，所述第二深沟槽和所述第一深沟槽的工艺条件相同，在所述第二深沟槽中形成有和所述第一深沟槽中相同的所述底部介质层以及所述源极多晶硅，所述第二深沟槽中的所述源极多晶硅和所述第一深沟槽中的所述源极多晶硅相连接，所述第二深沟槽中的所述源极多晶硅的两侧被所述底部介质层保护，在所述第二深沟槽的顶部形成有第一接触孔，所述第一接触孔的宽度大于等于所述第二深沟槽的宽度且所述第一接触孔的底部和所述第二深沟槽的所述源极多晶硅接触并实现将各所述第一深沟槽的所述源极多晶硅引出。