[发明专利]形成电子器件的方法有效
| 申请号： | 201710904150.9 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887256B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | P·A·伯克;J·金布尔;G·M·格利瓦纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为：“形成电子器件的方法”。本发明公开了一种形成电子器件的方法，所述方法可包括提供具有第一部分和第二部分的衬底；将含氮物质引入到所述衬底的所述第二部分中；以及将所述衬底暴露于氧化环境，其中与所述第二部分相比，从所述第一部分生长的氧化物更厚。本发明要解决的问题是在无需复杂方法顺序的情况下获得不同的氧化物厚度。本发明实现的技术效果是在相同氧化循环期间在电子器件的不同部分中实现不同的氧化物厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子器件的方法，包括：提供具有第一部分和第二部分的衬底；将含氮物质引入到所述衬底的所述第二部分中；以及将所述衬底暴露于氧化环境，其中与所述第二部分相比，从所述第一部分生长的氧化物更厚。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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