[发明专利]基准电流产生电路中的内部电源产生电路

摘要

本发明公开了一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，包括由第一和二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和第一和二电流源，第一PMOS管，第一和二NMOS管；第一PMOS管的栅极连接正温度系数电流产生电路提供的具有正温度系数的参考电压，第一NMOS管和第一PMOS管的源极连接，第一NMOS管的栅极和漏极和第二NMOS管的栅极连接在第一节点；第一PMOS管的漏极为第二节点；第一节点和第二节点串联在第一电流源和第一条路径之间或者在第二电流源和第二条路径之间；第二NMOS管的漏极连接电源电压，第二NMOS管的源极输出内部电源。本发明能节约电流路径以及能同时提高内部电源的温度特性。

主权项

1.一种基准电流产生电路中的内部电源产生电路，其特征在于：基准电流产生电路包括由第一条路径和第二条件路径形成的正温度系数电流产生电路和呈镜像关系的第一电流源和第二电流源；正温度系数电流的大小为所述正温度系数电流产生电路形成的具有正温度系数的参考电压除以第一电阻；/n内部电源产生电路包括第一PMOS管，第一NMOS管和第二NMOS管，所述第一PMOS管的栅极连接参考电压，所述第一NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的源极，所述第一NMOS管的栅极和漏极以及所述第二NMOS管的栅极连接在一起并令连接点为第一节点；令所述第一PMOS管的漏极为第二节点；/n所述第一节点连接所述第一电流源的输出节点，所述第二节点连接所述第一条路径的输出节点，所述第二条路径的输出节点连接所述第二电流源的输出节点；或者，所述第一节点连接所述第二电流源的输出节点，所述第二节点连接所述第二条路径的输出节点，所述第一条路径的输出节点连接所述第一电流源的输出节点；/n所述第二NMOS管的漏极连接电源电压，所述第二NMOS管的源极输出内部电源；/n所述第一条路径包括第三NMOS管，所述第二条路径包括第四NMOS管和所述第一电阻；/n所述第三NMOS管的漏极和栅极连接所述第四NMOS管的栅极，所述第三NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的源极通过所述第一电阻接地；所述第三NMOS管的漏极为所述第一条路径的输出节点，所述第四NMOS管的漏极为所述第二条路径的输出节点；所述第四NMOS管的源极输出所述参考电压。/n