[发明专利]一种晶硅太阳能电池处理设备在审
| 申请号： | 201710905165.7 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107527972A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 奚明;吴红星;戴虹;吴堃;夏马来 | 申请（专利权）人： | 理想晶延半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙)31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201620 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了晶硅太阳能电池处理设备，所述晶硅太阳能电池处理设备包括，装载卸载腔室，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的基板；镀膜沉积腔室，所述镀膜沉积腔室用于对所述待处理基板进行沉积；预处理腔室，用于对待处理的基板进行预处理；所述预处理腔室用于氧化处理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。本发明所述预处理腔室用于氧化处理节省了设备成本及厂房占地成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 处理 设备 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳能电池的处理设备，其特征在于，包括：装载卸载腔室，用于装载或卸载待处理的或处理完毕的基板；镀膜沉积腔室，所述镀膜沉积腔室用于对所述待处理基板进行镀膜沉积；预处理腔室，用于对待处理的基板进行预处理；所述预处理腔室用于氧化处理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于理想晶延半导体设备（上海）有限公司，未经理想晶延半导体设备（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710905165.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种硅片扩散装置及硅片插片方法
- 下一篇：转移装置及微型发光二极管的转移方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
