[发明专利]时间依赖性介电击穿的缓解有效
| 申请号： | 201710905773.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN108962735B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 黄意君;杨宝如;谢东衡 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明描述在栅极堆叠件中形成间隔件层以缓解时间依赖性介电击穿(TDDB)故障的示例性置换栅极工艺。例如，方法可以包括形成具有第一凹槽的部分制造的栅极结构。将间隔件层沉积至第一凹槽内并且用各向异性回蚀刻(EB)工艺蚀刻间隔件层以形成具有比第一凹槽更小孔径的第二凹槽。将金属填充层沉积至第二凹槽内。本发明的实施例还涉及时间依赖性介电击穿的缓解。 | ||
| 搜索关键词： | 时间 依赖性 击穿 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，包括：在衬底上方形成具有第一凹槽的栅极结构，其中，所述第一凹槽具有底面；将间隔件层沉积至所述第一凹槽内；用各向异性回蚀刻工艺蚀刻所述间隔件层以暴露所述第一凹槽的底面并且形成小于所述第一凹槽的第二凹槽；以及将金属沉积至所述第二凹槽内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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