[发明专利]堆叠式图像传感器有效
申请号: | 201710905815.8 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107895730B | 公开(公告)日: | 2019-07-30 |
发明(设计)人: | 毛杜立;林志强;马渕圭司;陈刚;戴森·H·戴;比尔·潘;奥拉伊·奥尔昆·赛莱克;杨大江 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本申请案涉及一种堆叠式图像传感器,其包含第一多个光电二极管,所述第一多个光电二极管包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管。所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度。第二多个光电二极管经安置在第二半导体材料中。所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准。互连层经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间。所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件。所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种堆叠式图像传感器,其包括:第一多个光电二极管,其包含安置在第一半导体材料中的第一光电二极管和第二光电二极管,其中所述第一半导体材料靠近所述第一光电二极管的厚度小于所述第一半导体材料靠近所述第二光电二极管的厚度;第二多个光电二极管,其经安置在第二半导体材料中,其中所述第二多个光电二极管与所述第一多个光电二极管光学对准;以及互连层,其经安置在所述第一半导体材料与所述第二半导体材料之间,其中所述互连层包含安置在所述第二光电二极管和包含于所述第二多个光电二极管中的第三光电二极管之间的光学屏蔽件,且其中所述光学屏蔽件防止图像光的第一部分到达所述第三光电二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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