[发明专利]功率半导体装置

摘要

一种功率半导体装置包括：半导体主体，具有正面和背面；布置在正面的第一负载端子和布置在背面的第二负载端子；漂移区域，被包括在半导体主体中并且具有第一导电型的掺杂物；和第一基元，被布置在正面。功率半导体装置还包括第二基元。另外，所述功率半导体装置包括：第一背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第一背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第二导电型的掺杂物，其中第一背面发射极区域和第一基元具有第一共同横向延伸范围；和第二背面发射极区域，被包括在半导体主体中，第二背面发射极区域以电气方式与第二负载端子连接并且具有第一导电型的掺杂物，其中第二背面发射极区域和第二基元具有第二共同横向延伸范围。

主权项

一种功率半导体装置(1)，包括：‑半导体主体(10)，具有正面(10‑1)和背面(10‑2)；‑布置在正面(10‑1)的第一负载端子(11)和布置在背面(10‑2)的第二负载端子(12)；‑漂移区域(100)，被包括在半导体主体(10)中并且具有第一导电型的掺杂物；‑第一基元(101)，被布置在正面(10‑1)并且包括：‑第一源极区域(1011)，以电气方式与第一负载端子(11)连接；‑第一主体区域(1012)，被包括在半导体主体(10)中，第一主体区域(1012)具有与第一导电型互补的第二导电型的掺杂物并且隔离第一源极区域(1011)与漂移区域(100)；和‑第一电极(1013)，以电气方式与功率半导体装置(1)的第一控制端子(G)连接，并且被配置为在第一沟道区域(1012‑2)中引起第一反型沟道，第一沟道区域(1012‑2)在第一主体区域(1012)内部从第一源极区域(1011)延伸到漂移区域(100)；‑第二基元(102)，被布置在正面(10‑1)并且包括：‑第二源极区域(1021)，被包括在半导体主体(10)中，第二源极区域(1021)具有第一导电型的掺杂物并且以电气方式与第一负载端子(11)连接；‑第二主体区域(1022)，被包括在半导体主体(10)中，第二主体区域(1022)具有第二导电型的掺杂物并且隔离第二源极区域(1021)与漂移区域(100)；和‑第二电极(1023)，以电气方式与第一控制端子(G)电绝缘，并且被配置为在第二沟道区域(1022‑2)中引起第二反型沟道，第二沟道区域(1022‑2)在第二主体区域(1022)内部从第二源极区域(1021)延伸到漂移区域(100)；‑第一背面发射极区域(103)，被包括在半导体主体(10)中，第一背面发射极区域(103)以电气方式与第二负载端子(12)连接并且具有第二导电型的掺杂物，其中第一背面发射极区域(103)和第一基元(101)具有第一共同横向延伸范围(LX1)；以及‑第二背面发射极区域(104)，被包括在半导体主体(10)中，第二背面发射极区域(104)以电气方式与第二负载端子(12)连接并且具有第一导电型的掺杂物，其中第二背面发射极区域(104)和第二基元(102)具有第二共同横向延伸范围(LX2)；其中：‑第一导电型是n型，并且如果比正第一阈值电压大的电压存在于第一电极(1013)和第一主体区域(1012)之间，则形成第一反型沟道，并且如果比正第二阈值电压大的电压存在于第二电极(1023)和第二主体区域(1022)之间，则形成第二反型沟道，第二阈值电压小于第一阈值电压，或者‑第一导电型是p型，并且如果比负第一阈值电压小的电压存在于第一电极(1013)和第一主体区域(1012)之间，则形成第一反型沟道，并且如果比负第二阈值电压小的电压存在于第二电极(1023)和第二主体区域(1022)之间，则形成第二反型沟道，第二阈值电压大于第一阈值电压。