[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201710906665.2 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109573940B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 焦继伟;刘京 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京晋德允升知识产权代理有限公司 11623 | 代理人： | 万铁占;张馨 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种半导体器件及其形成方法，其中该形成方法包括：在半导体衬底的正面形成第一腔；其中，连接通道的侧壁与第一腔的剩余部分底面连接在一起，以形成阻挡部，并且从正面到背面的方向，连接通道与阻挡部交叠；形成器件层，器件层支撑于正面且面对第一腔；在半导体衬底的背面形成第二腔，第二腔与连接通道共用开口，从正面到背面的方向上，开口在阻挡部的投影位于阻挡部的范围内。利用本技术方案，由于开口在阻挡部的投影位于阻挡部范围内，阻挡部对开口形成遮挡，阻挡从开口流出的腐蚀性物质，使腐蚀性物质无法直接冲击器件层，避免器件层遭到腐蚀而受损，确保半导体器件性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底的正面形成第一腔；在所述第一腔的底面形成连接通道，其中，所述连接通道的侧壁与所述第一腔的剩余部分底面连接在一起，以形成阻挡部，并且从所述正面到半导体衬底的背面的方向，所述连接通道与所述阻挡部交叠；形成器件层，所述器件层支撑于所述正面且面对所述第一腔；在所述半导体衬底的背面形成第二腔，所述第二腔与所述连接通道共用开口，从所述正面到背面的方向上，所述开口在所述阻挡部的投影位于所述阻挡部的范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新微技术研发中心有限公司，未经上海新微技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710906665.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
