[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710907219.3 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585379A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8249 | 分类号： | H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，半导体衬底第一区和第二区上分别有鳍部，鳍部包括在半导体衬底表面法线方向上交错层叠的若干第一鳍部层和第二鳍部层，第二鳍部层位于相邻第一鳍部层之间；形成仅横跨第一区鳍部的伪栅极结构；在半导体衬底第一区和第二区上、及第一区鳍部和第二区鳍部上形成介质层，介质层覆盖伪栅极结构侧壁且暴露出伪栅极结构的顶部表面；之后去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层；之后在第二区介质层中形成贯穿介质层的第一通孔和第二通孔；在第一通孔底部的鳍部中形成第一掺杂层；在第二通孔底部的鳍部中形成第二掺杂层。所述方法提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍部 伪栅极结构 第一区 介质层 衬底 通孔 半导体 半导体器件 掺杂层 半导体衬底表面 顶部表面 法线方向 侧壁 覆盖 去除 横跨 暴露 贯穿 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，半导体衬底第一区和第二区上分别具有鳍部，鳍部包括在半导体衬底表面法线方向上交错层叠的若干第一鳍部层和第二鳍部层，第二鳍部层位于相邻第一鳍部层之间；形成仅横跨第一区鳍部的伪栅极结构，伪栅极结构覆盖第一区鳍部的部分顶部表面和部分侧壁表面；在半导体衬底第一区和第二区上、以及第一区鳍部和第二区鳍部上形成介质层，介质层覆盖伪栅极结构侧壁且暴露出伪栅极结构的顶部表面；形成介质层后，去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层；去除伪栅极结构和伪栅极结构覆盖的第二鳍部层后，在第二区介质层中形成贯穿介质层的第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔位于第二区鳍部上；在第一通孔底部的第二区鳍部中形成第一掺杂层；在第二通孔底部的第二区鳍部中形成第二掺杂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
