[发明专利]硅外延晶片的制备方法在审
| 申请号： | 201710907401.9 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576795A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 小野敏昭;伊藤亘;藤濑淳 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供外延晶片的制备方法，所述外延晶片由于在包括急速升降温热处理的半导体器件的制备过程中防止局部的晶片变形，所以在半导体器件的制备过程中不形成氧析出物，耐滑移性优异。本发明涉及硅外延晶片的制备方法，所述硅外延晶片供于具有设定最高温度为1050℃以上且硅的熔点以下、升降温速度为150℃/sec以上的条件的急速升降温热处理工序的半导体器件的制备过程，其中，对于氮浓度为1.00×1013以上的硅单晶基板，具有在其表面使外延层成长的外延工序，在进行所述急速升降温热处理工序的处理时，所述硅晶片中含有的氧析出物为多面体氧析出物，和/或在将板状氧析出物的对角线长设为S(nm)、将所述急速升降温热处理工序的最高到达温度设为T(℃)的情况下满足T×S2≤9×106的板状氧析出物。 | ||
| 搜索关键词： | 氧析出物 升降 温热 半导体器件 硅外延晶片 处理工序 制备过程 制备 外延晶片 板状 对角线 熔点 硅单晶基板 晶片变形 多面体 滑移性 外延层 硅晶 | ||
【主权项】：
1.硅外延晶片的制备方法，所述硅外延晶片供于具有设定最高温度为1050℃以上且硅的熔点以下、升降温速度为150℃/sec以上的条件的急速升降温热处理工序的半导体器件的制备过程，其中，对于氮浓度为1.00×1013个原子/cm3以上的硅单晶基板，具有在其表面使外延层成长的外延工序，在进行所述急速升降温热处理工序的处理时，所述硅晶片中含有的氧析出物为多面体氧析出物，和/或在将板状氧析出物的对角线长设为S(nm)、将所述急速升降温热处理工序的最高到达温度设为T(℃)的情况下满足T×S2≤9×106的板状氧析出物。
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