[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201710908482.4 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109087899B | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 曹俊铉;柳泳奭;安宰镛;赵日焕 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体芯片，其具有通过钝化层暴露的焊盘；凸块柱，其形成在与焊盘相邻的钝化层上方但不与焊盘交叠。半导体芯片还具有焊料层，该焊料层包括焊料凸块部分和焊料焊脚部分，该焊料凸块部分形成在凸块柱上方，该焊料焊脚部分形成在凸块柱的面向焊盘的一侧以覆盖焊盘，并且该焊料焊脚部分将凸块柱与焊盘电联接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片，所述半导体芯片具有通过钝化层暴露的焊盘；凸块柱，所述凸块柱形成在与所述焊盘相邻的所述钝化层上方，但不与所述焊盘交叠；以及焊料层，所述焊料层包括焊料凸块部分和焊料焊脚部分，所述焊料凸块部分形成在所述凸块柱上方，所述焊料焊脚部分形成在所述凸块柱的面向所述焊盘的一侧以覆盖所述焊盘，并且所述焊料焊脚部分将所述凸块柱与所述焊盘电联接。
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