[发明专利]硅外延晶片的制备方法在审
| 申请号： | 201710909361.1 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576796A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 小野敏昭;伊藤亘;藤濑淳 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李志强;黄念 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供外延晶片的制备方法，所述外延晶片由于在包括急速升降温热处理的半导体器件的制备过程中防止局部的晶片变形，所以在半导体器件的制备过程中不形成氧析出物，耐滑移性优异。本发明涉及硅外延晶片的制备方法，所述外延硅晶片供于具有设定最高温度为1050℃以上且硅的熔点以下、升降温速度为150℃/sec以上的条件的急速升降温热处理工序的半导体器件的制备过程，其中，对于掺杂硼使得电阻值为0.02Ωcm~0.001Ωcm的硅单晶基板，具有在其表面使外延层成长的外延工序，在所述硅单晶基板的初期氧浓度Oi为规定浓度以上的情况下，在所述外延工序前，进行熔化晶片中含有的氧析出核的析出熔化热处理，在所述硅单晶基板的初期氧浓度Oi低于所述规定浓度的情况下，在所述外延工序前不进行所述析出熔化热处理。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 硅单晶基板 制备过程 制备 升降 硅外延晶片 析出 外延晶片 温热 熔化热 熔点 熔化 外延硅晶片 处理工序 晶片变形 氧析出核 氧析出物 滑移性 外延层 电阻 掺杂 | ||
【主权项】：
1.硅外延晶片的制备方法，所述硅外延晶片供于具有设定最高温度为1050℃以上且硅的熔点以下、升降温速度为150℃/sec以上的条件的急速升降温热处理工序的半导体器件的制备过程，其中，对于掺杂硼使得电阻值为0.02Ωcm~0.001Ωcm的硅单晶基板，具有在其表面使外延层成长的外延工序，在所述硅单晶基板的初期氧浓度Oi为规定浓度以上的情况下，在所述外延工序前，进行熔化晶片中含有的氧析出核的析出熔化热处理，在所述硅单晶基板的初期氧浓度Oi低于所述规定浓度的情况下，在所述外延工序前不进行所述析出熔化热处理。
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