[发明专利]掺锰复合氟化物荧光体原料用的氟化锰酸钾及使用其的掺锰复合氟化物荧光体的制造方法在审
申请号: | 201710910831.6 | 申请日: | 2017-09-29 |
公开(公告)号: | CN107892331A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 江本秀幸;纪元德;市川真義 | 申请(专利权)人: | 电化株式会社 |
主分类号: | C01G45/00 | 分类号: | C01G45/00;C09K11/61 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供掺锰复合氟化物荧光体原料用的氟化锰酸钾及使用其的掺锰复合氟化物荧光体的制造方法,提供能够制造高荧光特性和高可靠性的掺锰复合氟化物荧光体的、作为前述掺锰复合氟化物荧光体的原料用的氟化锰酸钾。一种作为制造掺锰复合氟化物荧光体的原料用的氟化锰酸钾,其特征在于在通过X射线光电子能谱分析得到的锰的轨道电子的结合能谱图中,从结合能值在643.0eV以上且644.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值A、与从结合能值在645.0eV以上且646.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值B之比,即(信号强度值A/信号强度值B)的值超过0且为0.9以下。 | ||
搜索关键词: | 复合 氟化物 荧光 原料 氟化 锰酸钾 使用 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种掺锰复合氟化物荧光体原料用的氟化锰酸钾,其中,在通过X射线光电子能谱分析得到的、锰的轨道电子的结合能谱图中,从结合能值在643.0eV以上且644.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值A、与从结合能值在645.0eV以上且646.0eV以下的范围内的最大信号强度值减去背景值而得到的信号强度值B之比即信号强度值A/信号强度值B的值超过0且为0.9以下。
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