[发明专利]一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法

摘要

本发明揭示了一种高深宽比高保形纳米级负型结构的制备方法，本发明用旋涂的方法在提供的衬底上旋涂一层氢倍半硅氧烷(HSQ)；利用电子束曝光技术对样品进行曝光显影得到预期的HSQ柱状纳米结构；利用磁控溅射镀膜沉积技术在样品上共形沉积一层功能材料薄膜；利用旋涂的方式在溅射处理后的样品上旋涂一层平坦化层HSQ；然后把样品置于热板上低温烘烤以去除平坦化材料中的溶剂；再对样品用斜角离子束抛光设备以角度小于10°的夹角进行抛光处理直到HSQ柱子上表面的金属材料全部去除；最后用湿法刻蚀将样品用氢氟酸进行处理以去除HSQ柱子结构从而得到我们所需的高深宽比高保形的纳米级负型结构。

主权项

一种高深宽比高保形纳米级负型的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、提供衬底，并清洗衬底；步骤二、在衬底上旋涂光刻胶；步骤三、利用光刻技术对光刻胶进行曝光；步骤四、对曝光后的样品进行显影；步骤五、利用镀膜工艺沉积一层功能材料薄膜；步骤六、利用旋涂的方法在已经沉积金属薄膜的衬底上旋涂一层平坦化材料；步骤七、烘烤，去除平坦化材料中的溶剂、进一步平坦化；步骤八、利用抛光工艺，将平坦化层及突出金属薄膜去除，直到抛光到下层光刻胶为止；步骤九、利用选择性刻蚀去除残余的光刻胶；从而获得高深宽比高保形纳米级负型结构图案。