[发明专利]碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法在审
| 申请号： | 201710911179.X | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658216A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | R·拉普;C·黑希特;J·康拉斯;W·伯格纳;H-J·舒尔策;R·埃尔佩尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31;H01L29/06;H01L29/16;H01L21/336;H01L21/329;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提出了一种碳化硅器件和用于形成碳化硅器件的方法。碳化硅器件包含碳化硅衬底、无机钝化层结构和模塑材料层。无机钝化层结构至少部分第横向地覆盖碳化硅衬底的主表面，并且模塑材料层被布置为邻近于无机钝化层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅器件，包括：碳化硅衬底，其中所述碳化硅衬底包括具有第一导电类型的外延碳化硅层和位于所述外延碳化硅层内的掩埋横向碳化硅边缘终端区域，其中所述掩埋横向碳化硅边缘终端区域具有第二导电类型，其中所述掩埋横向碳化硅边缘终端区域被具有所述第一导电类型的碳化硅表面层覆盖；无机钝化层结构，至少部分地横向覆盖所述碳化硅衬底的主表面；以及模塑材料层，邻近于所述无机钝化层结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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