[发明专利]一种SiC外延层的制备方法及装置在审
| 申请号： | 201710911736.8 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109576784A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/16;C30B25/20;C30B25/14;C30B29/36 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SiC外延层的制备方法及装置，其中制备方法包括以下步骤：提供一SiC衬底，并将SiC衬底放入一反应腔室中；向反应腔室通入反应气体及掺杂气体，使反应气体及掺杂气体吹向SiC衬底表面，且反应气体及掺杂气体的气流方向垂直于SiC衬底表面；加热SiC衬底，并采用化学气相沉积法在SiC衬底表面生长SiC外延层；采用光波监测系统监测正在生长的SiC外延层的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的掺杂气体的气体流量。本发明将反应气体及掺杂气体垂直吹向SiC衬底表面，并可采用光波监测系统实时监测掺杂浓度，从而在所述SiC衬底表面获得厚度均匀性及掺杂浓度均匀性均较高的SiC外延层，实现对掺杂浓度的精确控制，获得高产率、高性能的SiC外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 掺杂气体 衬底表面 反应气体 掺杂 衬底 制备方法及装置 反应腔室 监测系统 光波 化学气相沉积 厚度均匀性 浓度均匀性 方向垂直 获得高产 浓度控制 气体流量 实时监测 生长 监测 放入 加热 制备 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种SiC外延层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一SiC衬底，并将所述SiC衬底放入一反应腔室中；向所述反应腔室通入反应气体及掺杂气体，使所述反应气体及掺杂气体吹向所述SiC衬底表面，且所述反应气体及掺杂气体的气流方向垂直于所述SiC衬底表面；加热所述SiC衬底，采用化学气相沉积法在所述SiC衬底表面生长SiC外延层；采用光波监测系统监测正在生长的所述SiC外延层的掺杂浓度，并根据监测到的掺杂浓度控制通入的所述掺杂气体的气体流量。
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