[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种应用于存储器的半导体结构及其制备方法，制备包括提供一半导体基材，半导体基材内具有若干沟槽结构；采用第一沉积反应气体在第一温度下于沟槽结构的底部及侧壁形成晶核层，为后续沉积填充层提供沉积条件，采用间歇式循环沉积的模式形成供长晶厚度的晶核层；采用第二沉积反应气体在第二温度下于晶核层表面形成填充层，填充层为多晶结构，利用晶核层使得填充层沿沟槽结构的底部、侧壁及顶部的沉积长晶速率概呈相同，晶核层和填充层填充沟槽结构。通过上述方案，本发明的制备方法，可以在进行沟槽填充时使得填充层的各向沉积速率相同，进而可以降低封口现象的产生，从而减少因封口效应产生的孔隙，提高器件整体结构稳定性及导电性。

主权项

一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)提供一半导体基材，所述半导体基材内具有若干沟槽结构；2)采用第一沉积反应气体在第一温度下于所述沟槽结构的底部及侧壁形成晶核层，用于为后续沉积填充层提供沉积条件，其中，采用间歇式循环沉积的模式形成供长晶厚度的所述晶核层；及3)采用第二沉积反应气体在第二温度下于所述晶核层表面形成所述填充层，所述填充层为多晶结构，利用所述晶核层使得所述填充层沿所述沟槽结构的底部、侧壁及顶部的沉积长晶速率概呈相同，其中，所述晶核层和所述填充层填充所述沟槽结构。