[发明专利]一种显示面板及其制作方法有效
申请号: | 201710914061.2 | 申请日: | 2017-09-30 |
公开(公告)号: | CN107706224B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 胡重粮 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明提供一种显示面板的制作方法,在有源层上通过沉积、黄光、蚀刻制程制备两个栅极,在第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层,第二层间绝缘层为有机膜层,可以起到缓冲作用和粘结上下层的作用,也增加第一接触孔的孔深,在形成第一接触孔的对应第二层间绝缘层能通过黄光、蚀刻制程去掉,从而使第一接触孔的孔深降低了,然后沉积形成源源漏极就避免了过长而导致易断裂的问题,将第一接触孔的孔深降低同时也降低了形成源漏极的工艺难度。本发明还提供一种显示面板。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述制造方法包括如下步骤:S1:提供一基板,在该基板上沉积形成缓冲层;S2:在缓冲层上形成有源层;S3:在所述缓冲层上沉积第一栅极绝缘层,所述第一栅极绝缘层覆盖所述有源层;S4:在所述第一栅极绝缘层上沉积并图案化第一金属层,形成第一栅极,所述第一栅极位于有源层正上方;S5:在第一栅极上沉积第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极;S6:在所述第二栅极绝缘层上沉积并图案化第二金属层,形成第二栅极,所述第二栅极位于第一栅极正上方;S7:在所述第二栅极上沉积第一层间绝缘层,所述第一层间绝缘层覆盖所述第二栅极;S8:在所述第一层间绝缘层上沉积第二层间绝缘层,然后通过黄光、蚀刻制程把对应于有源层上方的第二层间绝缘层蚀刻掉形成空白区,只保留空白区以外的第二层间绝缘层;S9:在所述第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一层间绝缘层上与所述有源层的两端对应的位置形成第一接触孔;在所述第一层间绝缘层上的空白区形成源漏极,所述源漏极通过第一接触孔与有源层电连接;S10:在所述第一层间绝缘层上并覆盖源漏极和第二层间绝缘层上形成平坦层;以及在所述平坦层上形成发光功能层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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