[发明专利]一种黑化钽酸锂晶片的处理方法在审
| 申请号： | 201710914455.8 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107740190A | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 崔坤;李勇;宋松;宋伟;温旭杰;朱卫俊;王祥邦;徐慧琴;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明目的提供一种黑化钽酸锂的处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黑化钽酸锂 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种黑化钽酸锂晶片的处理方法，特征在于：1）将钽酸锂晶片放置到石英片盒中，然后将其放入黑化炉中；2）将锂化合物和硅油按照2:1的重量比放入刚玉坩埚中，然后将其置于黑化炉中；3）关闭炉门，抽真空到1000 pa以下，15小时将炉温从室温升到580℃，并保温4小时；4）然后降温到室温，充气开炉门取出钽酸锂晶片。
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