[发明专利]一种碳化硅场限环终端结构设计方法

摘要

本发明公开了一种碳化硅场限环终端结构设计方法，包括如下步骤：1初始化主结与单场限环之间的间距、环宽度；查看主结与单场限环之间的电场强度是否满足要求，如满足，流程结束；2将单场限环二等分为两个场限环；3查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否满足要求，如满足，流程结束；4查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否相等，如相等，增大分割后场限环间的间距，减小场限环宽度；如不相等，将每个场限环二等分为两个子场限环；5分割后各场限环宽度是否符合工艺要求，如符合，转步骤3；如不符合，维持主结与单场限环之间的间距、增大环宽度，转步骤1。该方法可以获取到最短的场限环总长度，减小终端占用面积。

主权项

1.一种碳化硅场限环终端结构设计方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)初始化主结与单场限环之间的间距d、场限环的宽度W；查看主结与单场限环之间的电场强度是否小于所期望的电场强度，如小于，流程结束，得到场限环终端设计结构；/n(2)将单场限环二等分为两个场限环，主结与内侧场限环之间的距离保持为d，分割后的两个场限环宽度与间距之和等于单场限环宽度；/n(3)查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否均小于所期望的电场强度，如小于，流程结束，得到场限环终端设计结构；/n(4)查看主结与分割后的各场限环之间的电场强度是否相等，如相等，增大分割后场限环间的间距，减小场限环的宽度；如不相等，将每个场限环二等分为两个子场限环，主结与内侧场限环之间的距离为d；/n(5)分割后各场限环宽度是否符合工艺要求，如符合，转步骤(3)；如不符合，维持主结与单场限环之间的间距d、增大单场限环的宽度W，转步骤(1)重新设计。/n