[发明专利]一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法在审
| 申请号： | 201710915938.X | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107620125A | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 崔坤;李勇;宋松;宋伟;温旭杰;朱卫俊;王祥邦;徐慧琴;施旭霞 | 申请（专利权）人： | 中电科技德清华莹电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/30 |
| 代理公司： | 杭州丰禾专利事务所有限公司33214 | 代理人： | 王晓峰 |
| 地址： | 313200 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明目的提供一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钽酸锂 铌酸锂 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂或铌酸锂晶片的黑化处理方法，特征在于：该方法包括以下步骤：1）将锂化合物和硅油放入耐高温容器A中；2) 将钽酸锂和铌酸锂晶片分放入耐高温容器B中；3) 将步骤1）和步骤2）中耐高温容器A和耐高温容器B中置于黑化还原炉中，在真空条件下，升高炉温，保持高温4‑12h；降温至室温，充气开炉门取出晶片。
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