[发明专利]一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器，所述低噪声放大器包括两级增强型FET晶体管，源端电阻电容并联负反馈电路，以及双路阻性反馈电路。本发明通过两级源端负反馈电路，有效的补偿了低噪声放大器的高频性能。两级晶体管采用直接级联，无隔直电容DC耦合的方式，提升了低噪声放大器的低频性能。双路阻性反馈的使用，一路实现了低噪声放大器的输入输出匹配，另一路实现了带宽扩展。此外，在接地上使用了大面积的背孔接地，极大降低了接地电感效应。本发明为全片上单片微波集成电路，采用无片上电感设计，节省了芯片面积，结构简单，易集成。

主权项

一种带双路阻性反馈的宽带微波集成低噪声放大器，其特征在于：所述低噪声放大器包括两级增强型FET晶体管，源端电阻电容并联负反馈电路，以及双路阻性反馈电路；其中，输入信号通过输入隔直电容(Cin)交流耦合至第一增强型FET晶体管(NM1)的栅端，第一增强型FET晶体管(NM1)的源端通过第一并联电容(CE1)和第一电阻(RE1)构成的第一级源端负反馈电路与第一背孔(Backvia1)相连接地，第一增强型FET晶体管(NM1)的漏端直接与第二增强型FET晶体管(NM2)的栅端相连，第二增强型FET晶体管(NM2)的源端通过第二并联电容(CE2)和第二电阻(RE2)构成的第二级源端负反馈电路与第二背孔(Backvia2)相连接地，第二增强型FET晶体管(NM2)的漏端通过片外高频扼流圈电感(Lchock)与电源VDD相连，输出信号通过输出隔直电容(Cout)由第二增强型FET晶体管(NM2)的漏端交流取出；双路阻性反馈电路由第三电阻(RF1)和第四电阻(RF2)构成，第三电阻(RF1)跨接在第一增强型FET晶体管(NM1)的栅端和第二增强型FET晶体管(NM2)的源端之间，形成第一路负反馈，通过米勒效应，降低输入输出阻抗，达到输入输出匹配的效果，第四电阻(RF2)跨接在第一增强型FET晶体管(NM1)的漏端和第二增强型FET晶体管(NM2)的漏端之间，形成第二路负反馈，起到稳定低噪声放大器，拓宽带宽的效果，并形成了噪声抵消结构，降低了第二增强型FET晶体管(NM2)的沟道热噪声对整体电路噪声性能的影响。