[发明专利]半导体元件的形成方法在审
| 申请号： | 201710918432.4 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN108962736A | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 黄玉莲;罗伊辰;李岱庭;李再春;蔡明桓;傅劲逢;杨政桦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 形成半导体元件的方法，包括形成源极/漏极区及间隔物于基板之上。此方法还包括形成蚀刻停止层于间隔物及源极/漏极区之上，并形成栅极结构于间隔物之间。此方法还包括回蚀栅极结构、回蚀间隔物及蚀刻停止层，并形成栅极覆盖结构于回蚀后的栅极结构、间隔物、及蚀刻停止层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 间隔物 蚀刻停止层 栅极结构 回蚀 源极/漏极区 半导体元件 覆盖结构 基板 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的形成方法，该方法包括：形成一源极/漏极区于一基板之上；形成间隔物于该基板之上；形成一蚀刻停止层于该间隔物及该源极/漏极区之上；形成一栅极结构于该间隔物之间；回蚀该栅极结构；回蚀该间隔物及该蚀刻停止层；以及形成一栅极覆盖结构于回蚀后的该栅极结构、该间隔物、及该蚀刻停止层之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
