[发明专利]一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710918501.1 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109594045A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王强;刘诗莹;李国建;贾宝海;王凯 | 申请（专利权）人： | 东北大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/08;H01B3/10 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 李娜;李馨 |
| 地址： | 110169 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用，属于半导体集成器件及压敏器件技术领域。一种高击穿电压ZnO:X薄膜的制备方法，所述方法采用射频等离子体活化源辅助共沉积方法于基底上沉积ZnO:X薄膜，具体为：将高纯O2通入射频等离子体活化源，氧气流量为1.5～2.0SCCM，射频等离子体活化源的工作功率为250～450W；将Zn金属和X金属作为源材料进行共沉积，基底温度为室温～800℃，真空度为(2～3.5)×10‑3Pa，沉积时间为10～120min；利用上述方法制得的薄膜在可见光范围内的透光率为80～100％，电阻率在106～108Ω·m范围内，击穿电压在7000～8000V/mm范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 射频等离子体 高击穿电压 活化源 制备方法和应用 共沉积 基底 沉积 半导体集成器件 金属 可见光 工作功率 击穿电压 压敏器件 氧气流量 电阻率 透光率 源材料 高纯 制备 | ||
【主权项】：
1.一种高击穿电压ZnO:X薄膜的制备方法，其特征在于：向射频等离子体活化源通入氧气，使射频等离子体活化源产生氧原子，使氧原子与Zn原子结合形成ZnO:X薄膜。
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